千辛万苦搞定了非常nb的fet！
因为数量特别小，所以根本定不到，而且由于这个fet比较昂贵，很多商家也没有现货，不过终于找到了一个好人，从外地给我调了12片过来，原厂的，04年18周H线下来的irf2804 mosfet，220封装。10v下持续电流78A，max 300A，内阻2。3mo，最大耐压40V，最高开关频率100K，超低节点容，基本上可以直接升级现有电调，可惜那个好人说了，这批fet不会再给我定第二次了，因为价格太低……汗，我一点都不觉的低。
最近没有时间，过两天等时间多了我试着改造一下，顺便感谢赠送我损坏电条的朋友们～没有你们的大度支持，我就没有研究的机会。
还有，我没找到ir的免费样片申请…………可惜啊，官方的pdf资料里表示，貌似262和D2的可以把内阻做到2mo
ohahahaha～～～～这个图是我自己拍照自己PS的哦～
引用IR的新闻稿：
IRF2804：新型汽车电子功率MOSFET12月２日讯，IR公司推出新型专用在汽车电子的HEXFET功率MOSFET IRF2804,单位面积的导通电阻比最好的同类产品还低15%。这种新的MOSFET技术所提供的雪崩容量，可和平面技术相比拟，为目前产品的两倍。
采用这种新技术制造的40V IRF2804 MOSFET晶体管，取得Q101质量认证，很适合用在大功率汽车电子方面，如14V综合交流发电机起动器，14V交流发电机同步整流器，操纵系统的电源，无刷和有刷DC电机。IR trench MOSFET技术也生产出能用在汽车电子的其它电压器件如4-V,55V,75V和100V产品。
新型IRF2804是TO-220封装，导通电阻2.3耗欧姆是业界最低的。此外，它有低的单位面积栅电荷，以满足工作在高达100KHz的频率。
IR 的汽车电子MOSFET的高雪崩容量能用在低电压范围。例如，40V MOSFET能代替55V MOSFET，以得到更低的导通电阻。这种MOSFET能提供先前不可能达到的硅性能，而不会采用更贵的封装，更大的芯片或多芯片并联。这种新器件比同类产品的导通电阻低10%，这点在汽车电子应用中是特别重要的，因为那里的环境温度通常超过125度,而峰值结温可能达到175度。
下表为该系列产品的主要性能。Part NumberBVDSSRDS(on) @ 10VCurrent @25癈PackageIRF280440V2.3 m欧姆75ATO-220IRF2804L40V2.3 m欧姆75ATO-262IRF2804S40V2.3 m欧姆75AD2-Pak现在可提供IRF2804的样品。10K量的单价为$3.67。下图为产品的外形图。详情请上网
[ 本帖最后由 nankey 于 2006-12-13 01:16 PM 编辑 ] 哦，比常用的3803强了不少啊
LZ知道330电调用的什么管子么？ 知道，可惜没记住，也没有测试，我手里还有两个坏掉的呢～哈哈 准备装在砸车的V16R上吗？ 这个fet你也看到了，装330上正好哦～～哈哈哈哈，至于v16r，虽然我那么说了，可是实际改造也颇为头痛……毕竟fet封装不一样，且研究一阵了，看看怎么安排最合理吧，幸好不要倒车功能，否则工程量就大了…… 我也想改，但过了年就换VFS1了，要不给我的mini 777改改？:em08: 不要小fet的，太变态了，那种东西太浪费时间，不如你把你的330给我？哈哈哈
vfs1什么样子？ 这种FET只能装在230和330这种直立式FET的电调上,估计12片可以装两个电调的样子,VFS-1都是贴片式的FET,和LRP跟GM等差不多 楼上说的很对，不过我从来没有想到给一个电条装那么多，我的想法很简单，只要前进档。对电流要求不大的场合1个或者两个就可以扛住，刹车不用这么好的，用拆下的一个fet或者两个fet就可以，剩下的刹车强度用萧特基二极管来补全。
好一点的电条顶多用4个fet并联管前进，所以这12个可以改造不少呢。
还有另外的问题，就是虽然fet有了，节电容也非常小，可是还得看电调对fet的驱动能力，不能随便并联的。
虽然v16r都是用贴片封装的fet，但是驱动原理并无差别，所以能改造，只不过比较复杂罢了。 v16r的改造，用洞洞板连这个2804单独做一块，然后把线连出来