请教，都有什么因素会导致烧电调？

henterxing 发表于 21-7-2 16:59
想了很久都想不透低速为何烧功率管，按道理功率管工作时间更短，且低速电流也不高，压力小很多。

低速的时候MOS处于半饱和状态，自身损耗大， 体制差的管子很容易过热烧坏

peng6678335 发表于 21-7-3 15:37
低速的时候MOS处于半饱和状态，自身损耗大， 体制差的管子很容易过热烧坏

火凤凰用有感，10.5T， 我烧了2个火凤凰电机没事，一个烧了个面目全非，一个自己换了场效应管

火凤凰用有感是最容易烧的，无感还没烧过

peng6678335 发表于 21-7-3 15:37
低速的时候MOS处于半饱和状态，自身损耗大， 体制差的管子很容易过热烧坏

不是通过占空比调节车速的吗？半饱和的概念是指？

损耗指是电能转换为热能？  还是电子迁移？

目前观测到的是低负荷时MOS管发热更低，所以一时不能理解

还有从TOSHIBA和ALPHA的产品资料看厂商的数据和你说的相反，不知道我是否理解错资料提供的数据？ :L

1.过载
2.过热
3.较高的电压
4.进水
5.电容坏了
6.卡机
等等

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henterxing 发表于 2021-07-02 16:59
想了很久都想不透低速为何烧功率管，按道理功率管工作时间更短，且低速电流也不高，压力小很多。

可能电调本身就已经存在故障了，只是刚好在你低速玩的时候故障现象表现出来了～

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peng6678335 发表于 2021-07-03 15:37
低速的时候MOS处于半饱和状态，自身损耗大， 体制差的管子很容易过热烧坏

我也想知道什么是半饱和状态～

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henterxing 发表于 21-7-3 15:53
不是通过占空比调节车速的吗？半饱和的概念是指？

损耗指是电能转换为热能？  还是电子迁移？

低速时，MOS开关内阻大，一部分电流消耗在MOS自身从而发热烧管
高速时，MOS开关内阻小，电流流过MOS管直接到达电机上MOS管自身发热就不会太大，除非堵转
火凤凰的堵转没啥用，基本上堵转是一次性的，一旦堵转就得烧功率板。甚至会烧到主板上的驱动半桥。

peng6678335 发表于 2021-07-06 13:39
低速时，MOS开关内阻大，一部分电流消耗在MOS自身从而发热烧管
高速时，MOS开关内阻小，电流流过MOS管直接到达电机上MOS管自身发热就不会太大，除非堵转
火凤凰的堵转没啥用，基本上堵转是一次性的，一旦堵转就得烧功率板。甚至会烧到主板上的驱动半桥。

那就是低速发热最大，高速发热最
最小对吗？

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但mos是导通和关闭两种状态，通过占空比调节车速，在开启导通的一瞬间损耗最大（PWM值越大开启就越密就会加大损耗的原因是这个），低速时mos开启的密度降低，mos的损耗就低，且因为导通的一瞬间但负载未启动mos的功率全部发热，启动越密热量累计就越多，速度越低启动密度越低，mos开启的热量累计就越少才对。不是太理解你所说的：低速时开关内阻大，高速时开关内阻小。

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henterxing 发表于 21-7-6 21:54
但mos是导通和关闭两种状态，通过占空比调节车速，在开启导通的一瞬间损耗最大（PWM值越大开启就越密就会加 ...

你可以去看看MOS管导通条件